ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET) — උ/පෙළ භෞතික විද්‍යාව

ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET) පුහුණු වන්නේ කෙසේද?

1 විසඳුම් සහිත ප්‍රශ්නය

1. ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටරයක් (FET) සහ ද්විධ්‍රැව සන්ධි ට්‍රාන්සිස්ටරයක් (BJT) අතර මූලික මෙහෙයුම් වෙනස කුමක්ද?
   1. A) FET is a unipolar voltage-controlled device with extremely high input impedance, whereas BJT is a bipolar current-controlled device
   2. B) FET has zero pinch-off voltage and negative breakdown resistance
   3. C) BJT utilizes only majority carriers, whereas FET utilizes both electrons and holes simultaneously
   4. D) BJT has infinite gate resistance, whereas FET requires high continuous gate current

   පිළිතුරු තේරීම් ඉංග්‍රීසි භාෂාවෙන් ඇත.

   මගේ පිළිතුර පරීක්ෂා කරන්න

   නිවැරදි පිළිතුර: A) FET is a unipolar voltage-controlled device with extremely high input impedance, whereas BJT is a bipolar current-controlled device

   FET යනු වෝල්ටීයතාව මඟින් පාලනය වන ඒකධ්‍රැව උපාංගයකි (unipolar voltage-controlled). එහි ආදාන ප්‍රතිබාධනය අතිශය ඉහළය. BJT යනු ධාරාව මඟින් පාලනය වන ද්විධ්‍රැව උපාංගයකි (current-controlled bipolar).

   විසඳුම බලන්න

   පියවර 1: FET: වෝල්ටීයතාවෙන් පාලනය වේ, ඒකධ්‍රැව (බහුතර වාහක පමණි), ඉහළ ප්‍රදාන සම්බාධනයක් ඇත. පියවර 2: BJT: ධාරාවෙන් පාලනය වේ, ද්විධ්‍රැව (වාහක වර්ග දෙකම). පිළිතුර: FET යනු ඉතා ඉහළ ප්‍රදාන සම්බාධනයක් සහිත, වෝල්ටීයතාවෙන් පාලනය වන ඒකධ්‍රැව උපාංගයකි; BJT යනු ධාරාවෙන් පාලනය වන ද්විධ්‍රැව උපාංගයකි.
   ආදර්ශයට ගත්තේ: උ/පෙළ භෞතික විද්‍යාව විභාග ආකෘතියයි

මෙය ලකුණු කරවා ගන්න

විෂය නිර්දේශයේ ඊළඟට

ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET) විෂය නිර්දේශයේ පිහිටන්නේ කොතැනද?

ශ්‍රේණිය 13 · වාරය 2