ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET) — උ/පෙළ භෞතික විද්‍යාව
NIE විෂය නිර්දේශයට අනුකූලයි
මෙම පිටුවේ සිංහල පෙළ යන්ත්‍ර පරිවර්තනයකි. සිංහල කතා කරන අයෙකු විසින් එය තවම පරීක්ෂා කර නැත.
ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET) ගැන මතක තබා ගත යුතු දේ කුමක්ද?
- ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටරය (FET): ද්වාරය (Gate) අග්‍රයට යොදන විද්‍යුත් ක්ෂේත්‍රයක් මගින් කාණු (Drain) සිට ප්‍රභවය (Source) දක්වා ගලන ධාරාව පාලනය කරන වෝල්ටීයතා පාලිත ඒකධ්‍රැව උපාංගයකි.
- JFET සැකැස්ම: n-කාණු JFET එකක ද්වාරය සහ ප්‍රභවය නිරතුරුව පසු නැඹුරු කෙරේ (Vgs ≤ 0); ආදාන ප්‍රතිරෝධය අතිශය ඉහළය (> 10⁸ Ω) සහ ද්වාර ධාරාව ශූන්‍ය වේ (Ig ≈ 0).
- පිංච්-ඕෆ් වෝල්ටීයතාව (Vp): ක්ෂය ස්ථර එකිනෙක ගැටී කාණු ධාරාව Id සංතෘප්ත වන අවස්ථාවයි.
- MOSFET: ද්වාරය සිලිකන් ඩයොක්සයිඩ් (SiO2) පරිවාරක ස්ථරයකින් වෙන් කර ඇති බැවින් අතිවිශාල ආදාන ප්‍රතිරෝධයක් (> 10¹² Ω) සහිත වේ.
ඔබම පරීක්ෂා කර බලන්න (විනාඩියක්)
-
BJT සහ FET වෙනස්කම්
BJT ධාරා පාලිත ද්විධ්‍රැව උපාංගයකි; FET වෝල්ටීයතා පාලිත ඒකධ්‍රැව උපාංගයක් වන අතර ඉතා ඉහළ ආදාන ප්‍රතිරෝධයක් සහ අඩු තාප ඝෝෂාවක් ඇත.
-
JFET සඳහා ෂොක්ලිගේ සමීකරණය
Id = Idss · [1 - (Vgs / Vp)]².
-
MOSFET ස්ථිති විද්‍යුත් සංවේදීතාව
සිහින් SiO2 ස්ථරය ස්ථිති විද්‍යුත් විසර්ජන මගින් පහසුවෙන් විනාශ විය හැකි බැවින් ප්‍රතිස්ථිතික ආවරණවල ගබඩා කරයි.
අද ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET) ප්‍රශ්න පුහුණු වන්න
මූලාශ්‍රය: NIE G.C.E. (A/L) Physics Resource Book - Unit 9: Electronics
මුලින්ම ඉගෙන ගත යුත්තේ කුමක්ද?
ඊළඟට එන්නේ කුමක්ද?
විෂය නිර්දේශයේ ඊළඟට
ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET) විෂය නිර්දේශයේ පිහිටන්නේ කොතැනද?
ශ්‍රේණිය 13 · වාරය 2
අද ක්ෂේත්‍ර බලපෑම් ට්‍රාන්සිස්ටර (FET / MOSFET) පුනරාවර්තනය ආරම්භ කරන්න
නොමිලේ AI අධ්‍යයන උපදේශක, දෛනික සැලසුම් සහ පුහුණු ප්‍රශ්න. ගෙවීම් අවශ්‍ය නැත.
නොමිලේ ගිණුමක් සාදන්න නොමිලේ ප්රශ්නාවලියමෙම පිටුවේ වැරදි තොරතුරක් තිබේ නම්: එය අපට දන්වන්න